產(chǎn)品分類
賣盤信息
| 型號 | 品牌 |
數(shù)量
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美金單價 |
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人民幣單價 （含稅13%） |
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最小起訂量 最小包裝 | 交貨地交期 | 批次 | 購買量 | 操作 |
|---|
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參數(shù)
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數(shù)值
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|---|---|
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
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符合
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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最大漏源電壓
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60V
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最大漏源電阻值
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75mΩ
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最大柵閾值電壓
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3V
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最小柵閾值電壓
|
1V
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最大柵源電壓
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±20V
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封裝類型
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SOP
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安裝類型
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表面貼裝
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引腳數(shù)目
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8
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類別
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直流/直流轉(zhuǎn)換器
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最大功率耗散
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2.4W
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典型輸入電容值@Vds
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910pF@24V
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典型柵極電荷@Vgs
|
19nC@10V
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正向二極管電壓
|
1.2V
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尺寸
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5x4x1.5mm
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典型關(guān)斷延遲時間
|
36ns
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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最低工作溫度
|
-55°C
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Pd-功率耗散
|
2.4W
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Vgs-柵極-源極電壓
|
10V
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Id-連續(xù)漏極電流
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4.5A
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制造商
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TaiwanSemiconductor
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最小工作溫度
|
-55C
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Qg-柵極電荷
|
19nC
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商標(biāo)
|
TaiwanSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
|
+150C
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單位重量
|
851mg
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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Vds-漏源極擊穿電壓
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60V
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子類別
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MOSFETs
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
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工廠包裝數(shù)量
|
2500
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晶體管極性
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N-Channel
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Vgsth-柵源極閾值電壓
|
1V
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通道數(shù)量
|
1Channel
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RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
45mOhms
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配置
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Single
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ECCN
|
EAR99
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HTSN
|
8541290095
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Polarity
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2N
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lead free status
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pb free
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Continuous drain current
|
4.5A
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Lifecycle Status
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Active
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Drain to Source voltage
|
60V
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Product Overview
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Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
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Field-effect transistor type
|
2N-CH (Dual)
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Package
|
8-SOIC(0.154,3.90mmWidth)
|
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FETType
|
2N-Channel(Dual)
|
|
RdsOn(Max)@Id,Vgs
|
55mOhm@4.5A,10V
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Vgs(th)(Max)@Id
|
3V@250μA
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OperatingTemperature
|
-55°C~150°C(TJ)
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FETFeature
|
Standard
|
|
SupplierDevicePackage
|
8-SOP
|
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Power-Max
|
2.4W
|
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Package/Case
|
8-SOIC(0.154,3.90mmWidth)
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|
Series
|
-
|
|
MountingType
|
SurfaceMount
|
|
DraintoSourceVoltage(Vdss)
|
60V
|
|
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...
|
910pF@24V
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Category
|
DiscreteSemiconductorProducts-Transistors-FETs,MOSFETs-Arrays
|
|
Manufacturer
|
TSCAmericaInc.
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
|
18nC@10V
|
|
Current-ContinuousDrain(Id)@25...
|
4.5A(Ta)
|
|
ECAD
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